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理學院11月25日邀請林本堅院士到中央大學分享最新的光刻技術。林本堅院士是浸潤式微影技術的開發者，促使半導體製程從193奈米跳躍式縮短至134奈米，改寫了半導體產業未來十數年的發展，也讓台積電擁有了超越IBM、英特爾等產業巨頭的自主研發能力。他鼓勵年輕學子常保持好奇心，有機會投入基礎科學研究。 從1980年代到現在的21世紀，半導體的最小特徵尺寸已從5微米縮減至5奈米。成像透鏡的數值孔徑從0.15改善到1.35，而成像波長亦從436奈米縮短到193奈米。如果僅透過這些技術改進，最小的半節距也只能縮小到114奈米。要達到5奈米的最小的特徵尺寸，還需要許多其他的創新。 林院士介紹了一系列可以使特徵尺寸達到1/ 20波長的技術和工具，包括以光學和化學方法縮短波長、數值孔徑的增加、利用移相位光罩以恢復和增強解析度、離軸照明技術、反射和震動控制、優化數值孔徑、光學進階校正、多重曝光、曝光—離焦空間的製程窗口等，並且講述使用電子束和極紫外光進行光刻的前景。 林院士提到台灣之所以有能力以走在世界最前緣的方式進行自主研發，基礎科學的研究是十分重要的一項要素。退休後的林院士也積極推動學界與業界間人才知識的連接，鼓勵年輕人能對問題保有好奇心、去解決問題，並期望更多基礎科學人才能投入參與。