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2020 年因全球疫情以及美中貿易戰的影響，使得台灣特定產業蓬勃發展，其中又以半導體供應鏈最為活躍。台灣中央大學與業界共同開發，研發出新的矽基氮化鎵晶圓磊晶技術，突破大面積，減少厚度，並進入量產階段，此技術為全球首創，預計將帶領台灣半導體供應鏈邁進一個新里程碑。
國立中央大學光電系教授陳昇暉，以及國家實驗研究院台灣儀器科技研究中心陳維鈞博士合作，攜手中央大學之育成培育企業「進化光學有限公司」共同開發，研發出新的矽基氮化鎵晶圓磊晶技術。 磊晶（Epitaxy），是指一種用於半導體器件製造過程中，在原有晶片上長出新結晶以製成新半導體層的技術。 此技術又稱磊晶成長（Epitaxial Growth），或指以磊晶技術成長出的結晶，有時可能也概指以磊晶技術製作的晶粒。 中央大學表示，碳化矽主要著重在電動車或高變電系統的晶片，而氮化鎵則在快充及射頻領域；為了符合現在晶圓廠的製程尺寸及降低成本，都希望將碳化矽晶圓、氮化鎵晶圓做到8吋或12吋的大小，但目前只有氮化鎵能夠磊晶在異質材料上，並且使用矽晶圓，都具有一定厚度。 進化光學黃耀賢董事長則提到，矽晶圓最麻煩的地方是在，不論是使用氧化物或氮化物在矽晶圓上成長緩衝層，都會與矽原子反應成非晶的氧化矽或氮化矽，使得磊晶的基礎受到極大的影響。 這過程中，都需要透過好幾微米厚的緩衝層，來得到較佳的結晶品質，進而再成長氮化鎵薄膜，最後整體厚度往往超過8微米。 因此透過材料工程的手段來減少非晶薄膜的生成，使得緩衝層的品質可以接近藍寶石晶圓上的氮化鋁，在這種基礎之上則可以大幅減少緩衝層厚度，以及氮化鎵厚度。 進化光學的業務副總詹世豪博士表示，經過計算，透過低溫磊晶技術能夠快速生成8至12吋的矽基氮化鎵晶圓，透過物理動能的薄膜沉積技術，薄膜均勻性比氣流式的MOCVD磊晶技術還要好，晶圓面積的元件利用率可高達9成以上，大幅降低晶圓生產成本，目前此技術是全球首創。 原文轉載自【2021-01-21/大紀元】
